Electron

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Densidad de los estados:Cada valor de K determina un estado orbital del e-,con doble degeneración debida al spín.Se acuerda que:1)Los estados electrónicos siempre incluyen la degeneración del spín.2)Cuando un e- actual es contado se asumirá q los e- de cada spín están siempre incluído.3)Se define densidad electrónica N,como nºtotal de e- por unidad de volumen. Ahora se discute lo sgte:a)E está cuantizada, distribución de valores continua, puesto q E es incrementada por pequeños pasos enteros de K, conduce a pequeños ?E del orde de h2. b)Dada la distribución continua de E la probabilidad de determinar un valor particular de E preciso es nula. c)Definimos densidad de los estados n(E),ésta es la densidad de los e- con energía en el rango de dE alrededor de la energía E, por unidad de intervalo de energía. d)La densidad de estados de los e- está dividida por dE para definir una cantidad independiente de dE. [E=N(E)dE].

 

Función de Bloch: la forma gral de la ec. es ?(x)=Formulau(x)

 

 

 

Energía de Fermi:si tenemos N e- en el cristal se debe empezar a llenar los estados desde niveles de más baja energía hacia arriba, hasta que se acomoden los n e-. El nivel de E del estado ocupado de más alto valor es de energía igual a la Energía de Fermi,E. Superficie de Fermi: la superficie en el espacio K, fuera de la cual todos lo estados estarán vacíos (superficies isoenergéticas).

 

La masa efectiva:en el fondo de una banda,la masa efectiva es definada por ajuste de una fórmula de e- libre modificada a la curava real E(k).Así: E(k)=Vo+[(hk)²/2m]; m=-h²/2?a², de esta forna, el e- tiene una masa efectiva pequeña en bandas anchas,donde [?] es grande, y una masa efectiva grande en bandas estrechas. La justificación de usar la masa efectiva,como una clase de "factor-trampa" en el FEM,es que permita a muchas de las predicciones simples del modelo ser aplicadas más gralmente que lo que de otra manera sería posible. La masa efectiva puede ser definida de forma mas gral: d²E/dk² = h²/m ; m=h²/(d²E/dk²).La masa efectiva para los e- en cualquier punto de la banda depende de la curvatura de E(k).

 

Conductividad electrónica:elevando la T se incrementa el nº de las vibraciones térmicamente excitadas,así que los e- son dispersados más eficientemente.En un metal,la conductividad disminuye al incrementar T,debido al decrecimiento de la movilidad.Cambiando T en un semiconductor,sin embargo,puede haber un efecto mucho mayor en la concentración un semiconductor,sin embargo,puede haber un efecto mucho mayor en la concentración de portadores que en la movilidad,y la conductividad usualmente aumenta con la T.