Conceptos Clave de Transistores BJT y FET: Polarización y Zonas de Operación

Clasificado en Electrónica

Escrito el en español con un tamaño de 3,86 KB

Fundamentos de Transistores BJT

8. Polarización y Estado de Corte (Transistor NPN)

En un transistor NPN polarizado mediante divisor de voltaje, si la resistencia de la parte superior del divisor se abre, el transistor:

  1. Entra en estado de saturación
  2. Entra en estado de corte
  3. Se daña
  4. Se bloquea por exceso de corriente

Explicación: Si se abre la resistencia superior del divisor, no hay potencial de polarización en la base ($V_B \approx 0$ V), por lo que el transistor no conduce (estado de corte).

9. Zonas de Operación del Transistor BJT

Para un transistor BJT, puede trabajar en distintas zonas. Indique estas zonas:

  1. Solo zona de saturación y corte
  2. Zonas activa, corte, saturación y activa inversa
  3. Zonas de corte, saturación y activa inversa
  4. Todas las anteriores

Explicación: Un transistor BJT puede operar en cuatro regiones:

  • Activa: Utilizada para amplificación.
  • Corte: El transistor está apagado.
  • Saturación: Conducción completa.
  • Activa Inversa: Polarización opuesta (poco usada en aplicaciones estándar).

10. Identificación de la Zona de Saturación por $V_{CE}$

Cuando el $V_{CE}$ es igual a 0,7 V, usted puede indicar en qué zona de operación está el transistor BJT:

  1. En la zona activa
  2. En la zona de saturación
  3. En la zona de corte
  4. En la zona de activa inversa

Explicación: En saturación, $V_{CE}$ es muy bajo (cercano a 0,2–0,7 V), indicando que el transistor está conduciendo al máximo.

Dispositivos de Efecto de Campo (FETs)

11. Identificación de Símbolos Electrónicos

El siguiente símbolo corresponde a un:

  1. Transistor bipolar
  2. MOSFET
  3. JFET
  4. Amplificador

(Nota: La respuesta correcta depende del símbolo visualizado, no incluido en el texto original.)

12. Terminales del MOSFET

¿Cuál de los siguientes terminales corresponde a un MOSFET?

  1. Emisor
  2. Base
  3. Colector
  4. Fuente (Source)

Explicación: Los terminales del MOSFET son: compuerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).

13. Polarización de la Compuerta en JFET Autopolarizado

En un JFET autopolarizado, la compuerta está:

  1. 0 V
  2. Un voltaje positivo
  3. Un voltaje negativo
  4. Conectada a tierra

Explicación: En un JFET tipo N autopolarizado, la compuerta se mantiene a un voltaje negativo respecto al canal para controlar la conducción.

14. Diferencia Fundamental entre MOSFET y JFET

Un MOSFET se diferencia de un JFET principalmente por:

  1. La capacidad de potencia
  2. El JFET tiene una unión PN
  3. El MOSFET no tiene canal físico preexistente
  4. El MOSFET tiene dos compuertas

Explicación: En un MOSFET, el canal se forma por efecto de campo cuando se aplica voltaje a la compuerta. En el JFET, el canal existe físicamente todo el tiempo.

15. Concepto de Amplificador de Pequeña Señal

Un amplificador de pequeña señal:

  • Utiliza una pequeña parte de la recta de carga.

(Este tipo de amplificador opera linealmente alrededor de un punto Q, manejando variaciones de señal mínimas).

Entradas relacionadas: