Defectos en materiales y procesos de difusión
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Defecto lineal
: dan lugar a una distorsión en la red centrada alrededor de una línea imaginaria.Defectos Puntuales
: son intervenciones localizadas en los arreglos atómicos o iónicos, se pueden introducir por los movimientos de los materiales o los iones al aumentar la energía por calentamiento durante el proceso del material por introducción de impurezas o dopamiento.Defectos Superficiales
: son los límites de los planos que separan a un material en regiones.Deslizamiento
: proceso por el cual se mueve una dislocación y hace que se deforme un material mecánico.Dislocación
: son imperfecciones lineales en un cristal. Se suele introducir en el cristal durante la solidificación del material o cuando el material se deforma permanentemente.Difusión
: indica el flujo neto de iones, átomos, electrones, vacancias y moléculas.Difusión de vacancias
: un átomo deja su sitio de red y llena una vacancia cercana con las que se crea una vacancia nueva en el sitio de red original. Al continuar la difusión se forman flujos de átomos y vacancias a contra corriente.Difusión en el límite de grano
: es el flujo de de la superficie que separa a los granos individuales, es decir, que no tienen las distancias correctas.Difusión Superficial
: proceso de transporte atómico superficial que permite que los átomos alcancen posiciones de equilibrio en la superficie.Difusión intersticial
: cuando la estructura cristalina tiene un ion o átomo intersticial pequeño se mueve de un sitio intersticial a otro.Dopante
: son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en concentraciones conocidas busca en lugares específicos de las micro estructuras buscando un efecto benéfico sobre las propiedades y el procesamiento.Conceptos clave:
- mod de elst
- estir elst
- lim elst
- resis de cedenc
- defo plst
- resis a tnsion
- long de ruptu
- elong de falla
Temas relacionados:
- met
- mat ter
- elast
- vidr
Fórmulas:
- nA=2dsinO
Terminología:
- A long de onda de ray x - esfz ingenieril
- d dis entr plan de red crista 'y' - esfz real
- O ang entre ray incidentes y plns de dispersn