Tasa de transferencia en una memoria ram

Los DIMMS DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo son físicamente incompatibles con los DDR2, debido a una ubicación diferente de la muesca. Son la tecnología mas novedosa utilizada actualmente.

RIMM
También llamados módulos de memoria Rambus directos, son parecidos a los módulos DIMM, pero ligeramente mayores. Inicialmente aparecieron con 168 contactos y actualmente utilizan 184 pines. Son más rápidos que los anteriores, pero su precio es elevado. Adoptan otra solución diferente a los bancos de RAM y necesita que siempre uses dos RIMM, nunca podrás ver un solo módulo en un PC. Además, cada banco en una placa base que use la RDRAM debe estar relleno, por lo que se utilizan unos módulos de continuidad llamados CRIMM para completar los bancos que queden vacíos.

SODIMM. Módulos similares a los DIMM con 144 contactos que se utilizan en ordenadores portátiles. Se comercializan en 72 y 144 contactos.
ancho de banda: cantidad de información que puede ser enviada por unidad de tiempo.Es igual a la frecuencia por el ancho del bus

Latencias: expresa los ciclos que gasta la memoria en cada una de las operaciones.

Latencia RAS: Indica el tiempo necesario para aceder a la columna de matrices de celda de cada chip

la latencia CAS: indica el tiempo necesario para acceder a la columna de cada matriz de cada chip del modulo

Precarga RAS: afecta poco al rendimiento de la memoria solo cuando la memoria funciona en "burt mode"

tRAS: es el tiempo de precarga del RAS y debe de ser mayor para conseguir un equipo estable

Triple channel y Dual channel
Dual Channel es una tecnología que permite el incremento del rendimiento gracias al acceso simultáneo a dos o mas módulos distintos de memoria. Esto se consigue mediante un segundo controlador de memoria en el Northbridge (componente del chipset).

Montaje de un módulo SIMM
1. Consultar el manual, para ver si la placa soporta este tipo de módulos. Colocamos el módulo encima de la ranura a fin de que los contactos del módulo toquen los contactos de la ranura. El módulo debe quedar con una inclinación de 45°.

1. Giramos el módulo de forma que quede en posición vertical. El módulo debe hacer clic cuando esté en su sitio.

2. Para retirar el módulo de memoria, liberamos los seguros de cierre con los dedos tirando hacia fuera (véase la Figura 4.24). Sacamos el módulo a un ángulo de 45° y lo levantamos. Lo colocamos en su bolsa antiestática