Tecnología de un champú

esta cubierta por componentes eléctricos y cableado que no son sensibles a la luz emitida por el fósforo de CsI. Solo el 80% de radiación contribuye a la imagen (factor de ocupación). El 20% Interactúa con los componentes electrónicos que no contribuyen a la imagen. / -Funcionamiento de los CCD: Esa carga eléctrica que s eproduce en los CCD se debe al efecto foto eléctrico. La luz incide se transforma en corriente eléctrica. La cantidad de e- generados es proporcional a la de fotones incidentes. La sensibilidad del CCD depende de la eficiencia del chip y de la cantidad de fotones incidentes. A menor tamaño del CCD->mayor resolución espacial tiene la imagen. Pero menor campor de interacción, por lo que hay que aumentar dosis. Con pixeles pequeños el factor de ocupación disminuye por lo que ha de recibir mas dosis, mas mAs, para compensar la perdida de radiación. La resolución espacial en RD esta limitada por el tamaño del píxel. / Resolución espacial: GRado de borrosidad p capacidad para distinguir 2 cosas juntas. La mejora usar foco fino del tubo de rx, grosor de corte fino, películas de grado fino y pantallas intensificadoras con velocidad lenta. / Resolución contraste: habilidad para detectar cambios en las densidades ópticas de la imagen. LA mejora detectores con alta sensibilidad, cortes mas gruesos, incrementar los mAs, estructuras delgadas y usar kv bajo. / -Detectores de panel plano: también llamados flat panel (FP) o flat panel detector (FPD). Permiten obtener imágenes digitales pasados solo unos segundos desde que se hizo el disparo de rx y sin tener que manipular ningún chasis. Los detectores de panel plano recogen información del disparo de rx a través de una matriz activa, la digitalizan y el ordenador almacena el

fichero de los datos recibidos desde el detector (la imagen digital)/ -Detectores de panel plano: Los detectores usados en estos sistemas pueden ser 2: conversión directa (usan a-Se) y conversión indirecta (usan a-Si y una pantalla intensificadora). En ambos el detector ocupa la superficie completa del campo de radiación y esta formado por el propio sistema de detección de los rx, acoplado a una matriz activa de transistores de película delgada (TFT). /-Detectores de panel plano: El de conversión indirecta esta compuesto por: una pantalla intensificadora de yoduro de cesio y una matriz de TFT de a-Si (fotodiodos que transforman la luz en e-). En los DR de conversión directa el haz de rayosx incide sobre la capa de a-Se generando e-. La carga generada es recolectada aplicando un campo eléctrico superior e inferior de la capa de selenio. La carga es leída por una matriz activa de TFT en contacto directo con la superficie de selenio. / ·Esquema de método y tecnología: Indirecto: CR, Directo: Conversión indirecta: DEtector CCD y detector de panel plano y TFD/TFT de a-Si, Directo conversión directa: detector de panel plano TFT de a-Se