Tipos de Memorias RAM: DIP, SIP, SIMM, DIMM, RIMM y Cronogramas de Lectura
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Formatos de Memoria RAM
- DIP
- SIP
- SIMM
- DIMM
- RIMM
Módulos DIMM
DIMM 168 contactos
Utilizan chips de memoria SDRAM (Synchronous DRAM). Se conectan al reloj del sistema y son capaces de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso.
DIMM 184 contactos
Utilizan chips de memoria DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Se conectan al reloj del sistema y son capaces de leer o escribir dos datos en un ciclo de reloj.
DIMM 240 contactos
Utilizan chips de memoria DDR2-SDRAM (Double Data Rate 2 SDRAM). Se conectan al reloj del sistema y son capaces de leer o escribir cuatro datos en un ciclo de reloj.
Utilizan chips de memoria DDR3-SDRAM (Double Data Rate 3 SDRAM). Se conectan al reloj del sistema y son capaces de leer o escribir ocho datos en un ciclo de reloj.
Cronograma de Lectura SDRAM sin Cambio de Página
Proceso
- Se activa la señal RAS indicando que en el bus de direcciones se halla la dirección de la fila. Esta dirección de fila queda fijada hasta que se lean todas las columnas.
- Se activa la señal CAS indicando que en el bus de direcciones se halla la dirección de la primera columna a leer.
- Tras un intervalo de tiempo para extraer el primer dato (latencia CL), este aparece en el bus de datos.
Tiempos
- tRAD: Tiempo de acceso.
- tRCD: Retardo de RAS a CAS.
- tCAC: Tiempo CAS Latency.
Cronograma de Lectura SDRAM con Cambio de Página
Anteriormente, únicamente se consideraban los retardos debidos al cambio de columna, sin tener en cuenta los debidos al cambio de fila (página). Cuando se deben leer/escribir datos de otra fila distinta a la anterior, hay que volver a cargar la dirección de dicha fila, dando lugar a nuevos retardos.
Cronograma de Lectura DDR-SDRAM sin Cambio de Página
Se transfieren datos tanto en el flanco de subida como en el de bajada de la señal de reloj. Se duplica la cantidad de información que se puede transferir. No puede afirmarse que la velocidad se duplique en todos los casos, porque la duplicación se realiza en los datos, no en la fase de direccionamiento, y porque en la SDRAM los parámetros de latencia actúan de manera que cuando los bancos y filas están cargados, se activa la orden de lectura y, tras un intervalo de tiempo, el primer dato queda disponible en el bus de datos.