Proceso de hidratación del cemento y funcionamiento del transistor bipolar

Proceso de hidratación del cemento

La reacción del C3A se inicia generando portlandita y la hidratación del C3A, que forma una capa que inicialmente se convierte en el paso limitante del proceso de hidratación, ya que los reactivos tienen que desplazarse del interior del grano hacia la superficie para así reaccionar. Esto aporta lentitud al proceso, ya que no podemos pasarnos de agua para facilitar la difusión, ya que después la resistencia mecánica no sería la adecuada. La portlandita ofrece... Después continúa la hidratación de la velita, formando fases hidratadas de silicoaluminatos. Los cristales que se han formado empiezan a formar una red entrelazada de compuestos hidratados formando la porosidad de la pasta de cemento.

En este punto la hidratación aún sigue pero más lenta, debido a la capa superficial hidratada creada es grande impidiendo un contacto directo con los reactivos. Por ello debe haber difusión de los reactivos a la superficie frontera que se ha formado (productos de hidratación gelificados primero y después solificados por precipitación). Se considera que a 28 días se ha adquirido el 80-90% de resistencia.

Funcionamiento del transistor bipolar

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor. El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.

El emisor ha de ser una región muy dopada. Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase.

El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor (en los transistores NPN el polo positivo al colector y base, en PNP al negativo(foto1)) consiguiendo un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequeña (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base una corriente muy pequeña. El control se produce mediante este terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarización de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.