Tipos de Memorias: EPROM, EEPROM, DDR y Más

**Tipos de Memorias**

**EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)**

Son memorias de solo lectura que pueden borrarse y volver a escribirse. Se escriben eléctricamente y están constituidas por celdas FAMOS, que vienen de fábrica sin carga, lo que equivale a un 1 lógico. Para cambiar este valor, se aplica voltaje. Cuando se quieren volver a programar, se borran y posteriormente se escriben. El borrado se realiza mediante una luz ultravioleta, que excita los electrones y así se descargan y resetean.

**EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)**

Son memorias de solo lectura que pueden ser escritas y borradas eléctricamente. Ambas operaciones se pueden realizar eléctricamente y se puede realizar un borrado parcial de información. Sus celdas tienen estructura SAMOS.

**DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory)**

Son una evolución de las DDR, con mayores velocidades de reloj (hasta 533 MHz físicos), menor voltaje (1,8 V), encapsulado del chip mejorado y latencias más elevadas.

**DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory)**

Mejoras respecto a DDR2:

• Velocidades físicas superiores a 400 MHz (de 400 a 1066 MHz)
• Voltaje reducido (de 1,8 a 1,5 V)
• Módulos de mayor velocidad
• Latencia creciente
• Algunos módulos contienen sensor de temperatura

**DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random Access Memory)**

Evolución de las DDR3:

1. Velocidad física de 800 MHz y ancho de banda de 12800 MB/s
2. 933,33-14933,33 MHz
3. 1066,67-17066,67 MHz
4. 1200-19200 MHz

**XD DRAM y XDR2 (Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory)**

Poseen un ancho de bus estrecho (de 16 a 32 bits), consiguiendo velocidades de hasta 7,2 GHz. El ancho de banda es de 28,8 GB. Proceden de la empresa Rambus Inc.

**Otros Tipos de Memorias**

**MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)**

En estudio, aunque fueron desarrolladas en los 90. Son no volátiles y utilizan magnetismo.

**PRAM (Phase-Change Random Access Memory)**

No volátiles y usan vidrio calcogeno configurable. Tienen dos estados (cristalino y amorfo) mediante calor.

**Z-RAM (Zero Capacitor Random Access Memory)**

Memorias sin condensadores, muy rápidas y densas, pero que precisarían una remodelación de las memorias actuales.

**Dual, Triple y Quad Channel**

Módulos de memoria del mismo fabricante y mismas características, que consiguen aumentar el ancho de banda duplicando o triplicando este, ya que se hacen accesos simultáneos de los módulos.