Tipos de Transistores de Efecto de Campo: JFET, MOSFET e IGBT
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Clasificación de Transistores de Efecto de Campo (FET)
El canal de un transistor de efecto de campo (FET) es dopado para producir un semiconductor de tipo N o de tipo P. El drenador y la fuente pueden estar dopados de manera contraria al canal, como en el caso de los FET de modo de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal, como en los FET de modo de empobrecimiento. Los transistores de efecto de campo también se distinguen por el método de aislamiento entre el canal y la puerta (gate).
Podemos clasificar los transistores de efecto de campo según este método de aislamiento:
- JFET (Junction Field-Effect Transistor): Utiliza una unión p-n inversamente polarizada como aislante.
- MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
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