Què es un cristall semiconductor?Quins tipus hi ha? Què vol dir que uns cristall està dopat?
Clasificado en Química
Escrito el en 
catalán con un tamaño de 2,45 KB
En el cristall de tipus p, en desapareixer un forat (portador majoritari) de la impuresa, l'atom qedara carregat negativament (ió negatiu); mentre que en el cristall de tipus n, en desapareixer l'electró lliure de la impuresa, l'atom quedara carregat positivament (ió positiu). Per representar el díode semiconductor representem en la zona p ions negatius i forats, mentre que en la zona n representarem ions positius i electrons. En posar en contacte aqests dos cristalls, en la zona de la junció es produeix una difusió dels electrons cap a la zona p i dels forats cap a la zona n per recombinar-se entre ells. Aixo fa que en les immediacions de la zona de la junció quedin sense equilibrar ions negatius del cristall p i ions positius del cristall n, la qual cosa fa que existeixin, en aquesta zona, potencials de signe contrari, entre els quals s'estableix un camp electrostatic que rep el nom de barrera potencial.
Aquesta barrera de potencial o camp fa que els portadors cada vegada tinguin mes dificultat per creuarla i recombinarse amb els altres portadors fins que arriba un valor determinat en el qual els portadors ja no tenen prou energia per creuarla i aleshores deixa d'existir el flux electric.
Aquest potencial de la barrera oscila entre els 0,6 i 0,7 per als díodes de silici i entre els 0,2 i 0,3 V per als de germani.
El díode semiconductor es representa esquematicament pel símbol de la figura. La zona n es denomina catode i la zona p, anode.
Polaratizacio directa de la junció pn
La polarització de la junció pn es directa quan el terminal positiu de la pila esta unit al cristall de tipus p (anode) i el terminal negatiu, al cristal de tipus n (catode).
Els electrons existents a la zona n i els forats de la p es veuen repelits pels potencials respectius de la pila cap a la zona de la junció, neutralitzant els ions positius i negatius d'aquesta i fent que la barrera de potencial disminueixi. En disminuir la barrera de potencial, els electrons lliures existents en el cristall de tipus n adquireixen prou energia per saltar al cristall de tipus p i recombinar-se amb els forats, i aixo produeix un flux d 'electrons q va dsdel pol negatiu al positiu.
Aquesta barrera de potencial o camp fa que els portadors cada vegada tinguin mes dificultat per creuarla i recombinarse amb els altres portadors fins que arriba un valor determinat en el qual els portadors ja no tenen prou energia per creuarla i aleshores deixa d'existir el flux electric.
Aquest potencial de la barrera oscila entre els 0,6 i 0,7 per als díodes de silici i entre els 0,2 i 0,3 V per als de germani.
El díode semiconductor es representa esquematicament pel símbol de la figura. La zona n es denomina catode i la zona p, anode.
Polaratizacio directa de la junció pn
La polarització de la junció pn es directa quan el terminal positiu de la pila esta unit al cristall de tipus p (anode) i el terminal negatiu, al cristal de tipus n (catode).
Els electrons existents a la zona n i els forats de la p es veuen repelits pels potencials respectius de la pila cap a la zona de la junció, neutralitzant els ions positius i negatius d'aquesta i fent que la barrera de potencial disminueixi. En disminuir la barrera de potencial, els electrons lliures existents en el cristall de tipus n adquireixen prou energia per saltar al cristall de tipus p i recombinar-se amb els forats, i aixo produeix un flux d 'electrons q va dsdel pol negatiu al positiu.