El Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados: De la Oblea al Chip
Preparación de la Oblea de Silicio
Se utiliza el método de Czochralski para obtener un cristal de silicio (Si) de gran tamaño, material con el que se fabrican los circuitos integrados (CIs). Este método consiste en depositar un cristal de silicio, conocido como "semilla", en un recipiente que contiene silicio fundido. La semilla se gira y se desplaza hacia arriba para conseguir un cilindro de silicio monocristalino. Posteriormente, este cilindro se corta en rebanadas muy finas llamadas obleas (con un espesor del orden de 1 mm), que finalmente se pulen para obtener una superficie perfectamente lisa.
Oxidación
Este es un proceso necesario para obtener el dióxido de silicio (SiO₂), que se utiliza como capa aislante en los circuitos integrados....